ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ GAAS ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ
Ключевые слова:
арсенид галлия, эпитаксиальный слой, висмут, дислокации, фронт кристаллизацииАннотация
Разработаны технологические режимы снижения плотности дислокаций в эпитаксиальных слоях (ЭС) арсенида галлия при использовании изовалентного металла-растворителя висмута, позволяющие стабилизировать фронт кристаллизации. Рассмотрены и проанализированы механизмы, отвечающие за изменение структуры ЭС.Библиографические ссылки
1. Андреев В. М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. / Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н.; под ред. Ж. И. Алферова. – М.: Сов. радио, 1975. –328 с.
2. Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / Мильвидский М. Г. – М.: Наука, 1986. – 144 с.
3. Braun A. Analytical solution to Matthews’ and Blakeslee’s critical dislocation formation thickness of epitaxially grown thin films / A. Braun, K. M. Briggs, P. Böni // Journal of Crystal Growth. – 2002. – V. 241 – Р. 231 – 234.
4. Baganov Ye. A. Reducing the density of threading dislocations in GaAs epitaxial layers. Efficiency assessment of isovalent Bi doping and Pb doping. / Ye. A. Baganov, V. A. Krasnov, O. N. Lebed and S. V. Shutov. // Materials Science–Poland. – 2009. – Vol. 27. – No. 2. – P. 355 – 363.
5. Ганина Н. В. Физико–химические особенности изовалентного легирования полупроводников / Н. В. Ганина // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – т. 3. № 4. – С. 565 – 572.
6. Василенко Н. Д. Образование дислокаций в эпитаксиальных слоях, выращенных из различных растворов–расплавов. / Н. Д. Василенко, О. К. Городниченко, В. А. Краснов // Сб. Докл. 5 Междун конф. «Свойства и структура дислокаций в полупроводниках». – 1986. – С. 57 – 63.
7. Вальковская М. М. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. / Вальковская М. М., Пушкаш Б. М., Марончук И. Е. – Кишинев: Штиинца, 1984. – 107 с.
8. Петухов Б. В. О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках. / Б. В. Петухов // Физика и техника полупроводников. – 2007. – т. 41. – в. 6. – С. 645 – 650.
9. Патент 28402 Україна, МПК6 H 01 L 21/20 Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію / Шутов С. В., Краснов В. О., Лебедь О. М. заявник та патентовласник Херсонський національний технічний університет. – №u200707996 ; заявл. 16.07.07 ; опубл. 10.12.07, Бюл. № 20.
10. Кристаллизация и свойства кристаллов / [Марончук И. Е., Кулюткина Т. Ф., Полещук B. C., Шутов С. В.] – Новочеркасск: НПИ. – 1989. – 64 с.
2. Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / Мильвидский М. Г. – М.: Наука, 1986. – 144 с.
3. Braun A. Analytical solution to Matthews’ and Blakeslee’s critical dislocation formation thickness of epitaxially grown thin films / A. Braun, K. M. Briggs, P. Böni // Journal of Crystal Growth. – 2002. – V. 241 – Р. 231 – 234.
4. Baganov Ye. A. Reducing the density of threading dislocations in GaAs epitaxial layers. Efficiency assessment of isovalent Bi doping and Pb doping. / Ye. A. Baganov, V. A. Krasnov, O. N. Lebed and S. V. Shutov. // Materials Science–Poland. – 2009. – Vol. 27. – No. 2. – P. 355 – 363.
5. Ганина Н. В. Физико–химические особенности изовалентного легирования полупроводников / Н. В. Ганина // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – т. 3. № 4. – С. 565 – 572.
6. Василенко Н. Д. Образование дислокаций в эпитаксиальных слоях, выращенных из различных растворов–расплавов. / Н. Д. Василенко, О. К. Городниченко, В. А. Краснов // Сб. Докл. 5 Междун конф. «Свойства и структура дислокаций в полупроводниках». – 1986. – С. 57 – 63.
7. Вальковская М. М. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. / Вальковская М. М., Пушкаш Б. М., Марончук И. Е. – Кишинев: Штиинца, 1984. – 107 с.
8. Петухов Б. В. О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках. / Б. В. Петухов // Физика и техника полупроводников. – 2007. – т. 41. – в. 6. – С. 645 – 650.
9. Патент 28402 Україна, МПК6 H 01 L 21/20 Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію / Шутов С. В., Краснов В. О., Лебедь О. М. заявник та патентовласник Херсонський національний технічний університет. – №u200707996 ; заявл. 16.07.07 ; опубл. 10.12.07, Бюл. № 20.
10. Кристаллизация и свойства кристаллов / [Марончук И. Е., Кулюткина Т. Ф., Полещук B. C., Шутов С. В.] – Новочеркасск: НПИ. – 1989. – 64 с.
Загрузки
-
PDF
Загрузок: 198
Просмотров анотаций: 199
Как цитировать
Лебедь, О. Н. «ФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ МОНОКРИСТАЛЛОВ GAAS ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ». Научные труды Винницкого национального технического университета, вып. 2, ноябрь 2013 г., https://trudy.vntu.edu.ua/index.php/trudy/article/view/383.
Выпуск
Раздел
Применение результатов исследования
