ИССЛЕДОВАНИЕ ОБОБЩЁННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ИММИТАНСА (ОПИ) НА БАЗЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО ТРАНЗИСТОРА ОТ ПАРАМЕТРОВ ЕГО ФИЗИЧЕСКОЙ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ
Ключевые слова:
однопереходной транзистор, обобщенный преобразователь иммитанса, Y-параметры, эмиттер, коллекторАннотация
В статье разработано математическую модель ОПИ на базе ОТ, которая учитывает зависимость его преобразованного иммитанса от физических параметров ОТ, а также проведено исследование зависимостей преобразованного иммитанса Wвх (Wвых) от физических параметров ОТ и диапазона рабочих частот.Библиографические ссылки
1. Ленк Дж. Электронные схемы. Практическое руководство / Ленк Дж. – М.: Мир, 1985. – 344 с.
2. Ерофеева И. А. Импульсные устройства на однопереходном транзисторе / И. А. Ерофеева – М.: Связь,
1974. – 72 с.
3. Ольсевич А. Е. Двухбазовые диоды в автоматике / А. Е.Ольсевич, В. В.Михайлов, В. И. Беличенко – М.:
Энергия, 1972. – 72 с.
4. Стафаев В. И. Теоретические и экспериментальные исследования двухбазового диода / В. И. Стафаев,
А. П. Штагер. – Рига: Знание, 1986. – 525 с.
5. Філинюк М. А. Аналіз і синтез інформаційних пристроїв на базі потенційно нестійких узагальнених
перетворювачів імітанса / М. А. Філинюк – Вінниця: ВДТУ, 1998. – 85 с.
6. Ліщинська Л. Б. Експериментальний метод визначення параметрів одно перехідного транзистора. В кн.
«Контроль і управління в складних системах» / Л. Б. Ліщинська, А. Г. Швидюк, М. А. Філинюк – КУСС, 2008. –
137 с.
7. Пат. 41314 України на корисну модель. МПК8 G 01 R 27/28. Установка для вимірювання граничної
частоти одноперехідного транзистора / Ліщинська Л. Б., Шведюк А. Г., Філинюк М. А., заявник та
патентовласник Вінницький нац. техн. ун-т. – №u200900490; Заявл. 23.01.2009; Опубл. 12.05.2009, Бюл. №9.
2. Ерофеева И. А. Импульсные устройства на однопереходном транзисторе / И. А. Ерофеева – М.: Связь,
1974. – 72 с.
3. Ольсевич А. Е. Двухбазовые диоды в автоматике / А. Е.Ольсевич, В. В.Михайлов, В. И. Беличенко – М.:
Энергия, 1972. – 72 с.
4. Стафаев В. И. Теоретические и экспериментальные исследования двухбазового диода / В. И. Стафаев,
А. П. Штагер. – Рига: Знание, 1986. – 525 с.
5. Філинюк М. А. Аналіз і синтез інформаційних пристроїв на базі потенційно нестійких узагальнених
перетворювачів імітанса / М. А. Філинюк – Вінниця: ВДТУ, 1998. – 85 с.
6. Ліщинська Л. Б. Експериментальний метод визначення параметрів одно перехідного транзистора. В кн.
«Контроль і управління в складних системах» / Л. Б. Ліщинська, А. Г. Швидюк, М. А. Філинюк – КУСС, 2008. –
137 с.
7. Пат. 41314 України на корисну модель. МПК8 G 01 R 27/28. Установка для вимірювання граничної
частоти одноперехідного транзистора / Ліщинська Л. Б., Шведюк А. Г., Філинюк М. А., заявник та
патентовласник Вінницький нац. техн. ун-т. – №u200900490; Заявл. 23.01.2009; Опубл. 12.05.2009, Бюл. №9.
Загрузки
-
PDF
Загрузок: 136
Просмотров анотаций: 143
Как цитировать
Лищинская, Л. Б., М. В. Барабан, и Я. С. Рожкова. «ИССЛЕДОВАНИЕ ОБОБЩЁННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ИММИТАНСА (ОПИ) НА БАЗЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО ТРАНЗИСТОРА ОТ ПАРАМЕТРОВ ЕГО ФИЗИЧЕСКОЙ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ». Научные труды Винницкого национального технического университета, вып. 2, ноябрь 2011 г., https://trudy.vntu.edu.ua/index.php/trudy/article/view/213.
Выпуск
Раздел
Радиоэлектроника и радиоэлектронное аппаратостроение
