ИССЛЕДОВАНИЕ ОБОБЩЁННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ИММИТАНСА (ОПИ) НА БАЗЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО ТРАНЗИСТОРА ОТ ПАРАМЕТРОВ ЕГО ФИЗИЧЕСКОЙ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ
Keywords:
однопереходной транзистор, обобщенный преобразователь иммитанса, Y-параметры, эмиттер, коллекторAbstract
В статье разработано математическую модель ОПИ на базе ОТ, которая учитывает зависимость его преобразованного иммитанса от физических параметров ОТ, а также проведено исследование зависимостей преобразованного иммитанса Wвх (Wвых) от физических параметров ОТ и диапазона рабочих частот.References
1. Ленк Дж. Электронные схемы. Практическое руководство / Ленк Дж. – М.: Мир, 1985. – 344 с.
2. Ерофеева И. А. Импульсные устройства на однопереходном транзисторе / И. А. Ерофеева – М.: Связь,
1974. – 72 с.
3. Ольсевич А. Е. Двухбазовые диоды в автоматике / А. Е.Ольсевич, В. В.Михайлов, В. И. Беличенко – М.:
Энергия, 1972. – 72 с.
4. Стафаев В. И. Теоретические и экспериментальные исследования двухбазового диода / В. И. Стафаев,
А. П. Штагер. – Рига: Знание, 1986. – 525 с.
5. Філинюк М. А. Аналіз і синтез інформаційних пристроїв на базі потенційно нестійких узагальнених
перетворювачів імітанса / М. А. Філинюк – Вінниця: ВДТУ, 1998. – 85 с.
6. Ліщинська Л. Б. Експериментальний метод визначення параметрів одно перехідного транзистора. В кн.
«Контроль і управління в складних системах» / Л. Б. Ліщинська, А. Г. Швидюк, М. А. Філинюк – КУСС, 2008. –
137 с.
7. Пат. 41314 України на корисну модель. МПК8 G 01 R 27/28. Установка для вимірювання граничної
частоти одноперехідного транзистора / Ліщинська Л. Б., Шведюк А. Г., Філинюк М. А., заявник та
патентовласник Вінницький нац. техн. ун-т. – №u200900490; Заявл. 23.01.2009; Опубл. 12.05.2009, Бюл. №9.
2. Ерофеева И. А. Импульсные устройства на однопереходном транзисторе / И. А. Ерофеева – М.: Связь,
1974. – 72 с.
3. Ольсевич А. Е. Двухбазовые диоды в автоматике / А. Е.Ольсевич, В. В.Михайлов, В. И. Беличенко – М.:
Энергия, 1972. – 72 с.
4. Стафаев В. И. Теоретические и экспериментальные исследования двухбазового диода / В. И. Стафаев,
А. П. Штагер. – Рига: Знание, 1986. – 525 с.
5. Філинюк М. А. Аналіз і синтез інформаційних пристроїв на базі потенційно нестійких узагальнених
перетворювачів імітанса / М. А. Філинюк – Вінниця: ВДТУ, 1998. – 85 с.
6. Ліщинська Л. Б. Експериментальний метод визначення параметрів одно перехідного транзистора. В кн.
«Контроль і управління в складних системах» / Л. Б. Ліщинська, А. Г. Швидюк, М. А. Філинюк – КУСС, 2008. –
137 с.
7. Пат. 41314 України на корисну модель. МПК8 G 01 R 27/28. Установка для вимірювання граничної
частоти одноперехідного транзистора / Ліщинська Л. Б., Шведюк А. Г., Філинюк М. А., заявник та
патентовласник Вінницький нац. техн. ун-т. – №u200900490; Заявл. 23.01.2009; Опубл. 12.05.2009, Бюл. №9.
Downloads
-
PDF (Русский)
Downloads: 136
Abstract views: 143
How to Cite
Лищинская, Л. Б., М. В. Барабан, and Я. С. Рожкова. “ИССЛЕДОВАНИЕ ОБОБЩЁННОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ИММИТАНСА (ОПИ) НА БАЗЕ ОДНОПЕРЕХОДНОГО ТРАНЗИСТОРА ОТ ПАРАМЕТРОВ ЕГО ФИЗИЧЕСКОЙ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ”. Научные труды Винницкого национального технического университета, no. 2, Nov. 2011, https://trudy.vntu.edu.ua/index.php/trudy/article/view/213.
Issue
Section
Радиоэлектроника и радиоэлектронное аппаратостроение
