СКОРОСТЬ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ НА БАЗЕ ХСП

Авторы

  • Иван Владимирович Слободян Винницкий национальный технический университет

Ключевые слова:

изменение фазы, скорость включения-выключения, кристаллизация- аморфизация

Аннотация

Проведено исследование влияния ряда факторов на скорость программирования
энергонезависимой памяти (ЭНП) на базе халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП).
Описан метод определения скорости программирования включения устройства (кристаллизация,
низкоомное состояние) и выключения (аморфизация, высокооомное состояние). Также показано,
что скорость включения (выключения) ЭНП в основном зависит от электрического контакта
устройства.

Биография автора

Иван Владимирович Слободян, Винницкий национальный технический университет

ассистент кафедры телекоммуникационных систем и
телевидения

Библиографические ссылки

1. Ovshinsky S. R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures / S. R. Ovshinsky //
Physical Review Letters. – 1968. – № 21. – P. 1450 – 1453.

2. Phase Change Memory / H.-S. Philip Wong [et al.] // Proceedings of the IEEE. – 2010. – Vol. 98, №. 12. –
P. 2201 – 2227.

3. Phase change memory technology [Електронний ресурс] / Bipin Rajendran [et al.] / IBM Research. –
2009. Режим доступу:
http://www.itrs.net/ITWG/Beyond_CMOS/2010Memory_April/Proponent/Nanowire%20PCRAM.pdf.

4. Костылев С. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. Костылев, В. Шкут. –
Наукова думка: Київ, 1978. – с. 203.

Загрузки

Просмотров анотаций: 162

Как цитировать

Слободян, И. В. «СКОРОСТЬ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ НА БАЗЕ ХСП». Научные труды Винницкого национального технического университета, вып. 3, октябрь 2014 г., https://trudy.vntu.edu.ua/index.php/trudy/article/view/435.

Выпуск

Раздел

Радиоэлектроника и радиоэлектронное аппаратостроение

Метрики

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.