СКОРОСТЬ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ НА БАЗЕ ХСП
Keywords:
изменение фазы, скорость включения-выключения, кристаллизация- аморфизацияAbstract
Проведено исследование влияния ряда факторов на скорость программирования
энергонезависимой памяти (ЭНП) на базе халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП).
Описан метод определения скорости программирования включения устройства (кристаллизация,
низкоомное состояние) и выключения (аморфизация, высокооомное состояние). Также показано,
что скорость включения (выключения) ЭНП в основном зависит от электрического контакта
устройства.
References
1. Ovshinsky S. R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures / S. R. Ovshinsky //
Physical Review Letters. – 1968. – № 21. – P. 1450 – 1453.
2. Phase Change Memory / H.-S. Philip Wong [et al.] // Proceedings of the IEEE. – 2010. – Vol. 98, №. 12. –
P. 2201 – 2227.
3. Phase change memory technology [Електронний ресурс] / Bipin Rajendran [et al.] / IBM Research. –
2009. Режим доступу:
http://www.itrs.net/ITWG/Beyond_CMOS/2010Memory_April/Proponent/Nanowire%20PCRAM.pdf.
4. Костылев С. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. Костылев, В. Шкут. –
Наукова думка: Київ, 1978. – с. 203.
Physical Review Letters. – 1968. – № 21. – P. 1450 – 1453.
2. Phase Change Memory / H.-S. Philip Wong [et al.] // Proceedings of the IEEE. – 2010. – Vol. 98, №. 12. –
P. 2201 – 2227.
3. Phase change memory technology [Електронний ресурс] / Bipin Rajendran [et al.] / IBM Research. –
2009. Режим доступу:
http://www.itrs.net/ITWG/Beyond_CMOS/2010Memory_April/Proponent/Nanowire%20PCRAM.pdf.
4. Костылев С. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. Костылев, В. Шкут. –
Наукова думка: Київ, 1978. – с. 203.
Downloads
-
PDF (Русский)
Downloads: 154
Abstract views: 161
How to Cite
Слободян, И. В. “СКОРОСТЬ ПРОГРАММИРОВАНИЯ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ НА БАЗЕ ХСП”. Научные труды Винницкого национального технического университета, no. 3, Oct. 2014, https://trudy.vntu.edu.ua/index.php/trudy/article/view/435.
Issue
Section
Радиоэлектроника и радиоэлектронное аппаратостроение
