РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИНЖЕКТИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ ПРИ ДЕЙСТВИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ В БИПОЛЯРНЫХ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ
Ключевые слова:
магнитное поле, сенсоры, биполярный транзисторАннотация
Показано влияние магнитного поля на распределение концентрации носителей заряда в базовой области биполярных магниточувствительных структурах. Получены теоретические зависимости параметров биполярных транзисторов при учете этого влияния.Библиографические ссылки
1. Готри З. Ю. Мікроелектронні сенсори фізичних величин / За ред. З. Ю. Готри. – Львів: Ліга-Прес, 2002. –475 с.
2. Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990. – 264 с.
3. Бронштейн И. Н. Справочник по математике / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. – М.: Наука, 1981. – 718 с.
4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1 / Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
2. Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990. – 264 с.
3. Бронштейн И. Н. Справочник по математике / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. – М.: Наука, 1981. – 718 с.
4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1 / Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
Загрузки
-
PDF
Загрузок: 176
Просмотров анотаций: 184
Как цитировать
Осадчук, В. С., и А. В. Осадчук. «РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИНЖЕКТИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ ПРИ ДЕЙСТВИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ В БИПОЛЯРНЫХ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ». Научные труды Винницкого национального технического университета, вып. 3, ноябрь 2011 г., https://trudy.vntu.edu.ua/index.php/trudy/article/view/307.
Выпуск
Раздел
Радиоэлектроника и радиоэлектронное аппаратостроение
