РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИНЖЕКТИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ ПРИ ДЕЙСТВИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ В БИПОЛЯРНЫХ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ

Authors

  • Владимир Степанович Осадчук Винницкий национальный технический университет
  • Александр Владимирович Осадчук Винницкий национальный технический университет

Keywords:

магнитное поле, сенсоры, биполярный транзистор

Abstract

Показано влияние магнитного поля на распределение концентрации носителей заряда в базовой области биполярных магниточувствительных структурах. Получены теоретические зависимости параметров биполярных транзисторов при учете этого влияния.

Author Biographies

Владимир Степанович Осадчук, Винницкий национальный технический университет

д. т. н., профессор, профессор кафедры электроники

Александр Владимирович Осадчук, Винницкий национальный технический университет

д. т. н., профессор, заведующий кафедрой радиотехники

References

1. Готри З. Ю. Мікроелектронні сенсори фізичних величин / За ред. З. Ю. Готри. – Львів: Ліга-Прес, 2002. –475 с.

2. Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990. – 264 с.

3. Бронштейн И. Н. Справочник по математике / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. – М.: Наука, 1981. – 718 с.

4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1 / Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

Downloads

Abstract views: 187

How to Cite

Осадчук, В. С., and А. В. Осадчук. “РАСПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ИНЖЕКТИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В БАЗОВОЙ ОБЛАСТИ ПРИ ДЕЙСТВИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ В БИПОЛЯРНЫХ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ”. Научные труды Винницкого национального технического университета, no. 3, Nov. 2011, https://trudy.vntu.edu.ua/index.php/trudy/article/view/307.

Issue

No. 3 (2011): 2011№3

Section

Радиоэлектроника и радиоэлектронное аппаратостроение

Metrics

Downloads

Download data is not yet available.

Most read articles by the same author(s)