МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ СЕНСОР С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДОМ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА МЕТОДОМ МОДУЛЯЦИИ ПРОВОДИМОСТИ В ТОЧЕЧНОМ КОНТАКТЕ
Keywords:
время жизни, диффузионная длина, неравновесные носители заряда, модуляция, точечный контактAbstract
В технологиях изготовления полупроводниковых приборов используют различные методы исследования их параметров, которые оценивают по изменению структурно-чувствительных электрических параметров – диффузионной длины пробега неравновесных носителей заряда LD и времени их жизни τ [4]. Известные методики [1] определения этих параметров позволяют определить LD и τ для объема полупроводников, поэтому важной задачей данной работы было изучить возможности определения τ с помощью преобразования напряжения в частоту. Последующий анализ и обработка частотного сигнала позволяет повысить точность определения τ. При этом рассматривали методику измерения времени жизни носителей заряда методом модуляции проводимости в точечном контакте.References
1. Блад П. Методы измерения электрических свойств полупроводников / П. Блад, Дж.В. Оргон. – Зарубежная радиоэлектроника, 1981. – 49 с.
2. Ковтонюк Н. Ф. Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н. Ф. Ковтонюк, Ю. А. Концевой. – «Металургия», 1970. – 432 с.
3. Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» / Л. П. Павлов. – М.: Высш. школа, 1987. – 239 с.
4. Батвин В. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / Батвин В. В., Концевой Ю. А. Федорович Ю. В. – М.: Радио и связь, 1985. – 264 с.
5. Уколов А. И. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника / А. И. Уколов, В. А. Надточий, А. З. Калимбет, Д. С. Москаль // Пошук і знахідки. Серія: фізико – математичні науки. – 2010. – № 1. – С. 88 – 94.
6. Осадчук В. С. Напівпровідникові перетворювачі інформації / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця ВНТУ, 2004. – 208 с.
7. Огляд методів визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Р. В. Дуда // Новости научной мысли – 2013: VIII Міжнародна науково технічна конференція, 27 жовтня – 5 листопада 2013 р. м. Прага, Чехія: тези доповідей – Режим доступу: http://www.rusnauka.com/31_NNM_2013/Tecnic/6_145682.doc.htm.
2. Ковтонюк Н. Ф. Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н. Ф. Ковтонюк, Ю. А. Концевой. – «Металургия», 1970. – 432 с.
3. Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» / Л. П. Павлов. – М.: Высш. школа, 1987. – 239 с.
4. Батвин В. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / Батвин В. В., Концевой Ю. А. Федорович Ю. В. – М.: Радио и связь, 1985. – 264 с.
5. Уколов А. И. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника / А. И. Уколов, В. А. Надточий, А. З. Калимбет, Д. С. Москаль // Пошук і знахідки. Серія: фізико – математичні науки. – 2010. – № 1. – С. 88 – 94.
6. Осадчук В. С. Напівпровідникові перетворювачі інформації / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця ВНТУ, 2004. – 208 с.
7. Огляд методів визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Р. В. Дуда // Новости научной мысли – 2013: VIII Міжнародна науково технічна конференція, 27 жовтня – 5 листопада 2013 р. м. Прага, Чехія: тези доповідей – Режим доступу: http://www.rusnauka.com/31_NNM_2013/Tecnic/6_145682.doc.htm.
Downloads
-
PDF (Русский)
Downloads: 103
Abstract views: 203
How to Cite
Осадчук, В. С., А. В. Осадчук, and Р. В. Дуда. “МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ СЕНСОР С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДОМ ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА МЕТОДОМ МОДУЛЯЦИИ ПРОВОДИМОСТИ В ТОЧЕЧНОМ КОНТАКТЕ”. Научные труды Винницкого национального технического университета, no. 4, Feb. 2014, https://trudy.vntu.edu.ua/index.php/trudy/article/view/404.
Issue
Section
Радиоэлектроника и радиоэлектронное аппаратостроение
